Samsung Electronics' HBM4 chip expected to begin shipping later this month

三星電子預計將在本月晚些時候開始發貨其下一代高帶寬內存 HBM4。根據知情的行業消息，發貨預計將在春節假期後進行。

三星電子還將成為首個商業化被廣泛視為改變遊戲規則的 AI 計算芯片的內存製造商，消息人士補充道。

該公司計劃最早在二月第三週開始向 Nvidia 發貨 HBM4。Nvidia 預計將在其下一代 AI 加速平台 Vera Rubin 中使用該內存。

三星本月將開始 HBM4 發貨

這一舉措標誌着三星命運的轉變，三星此前曾面臨關於其在早期 HBM 代際中的競爭力的質疑和批評。通過 HBM4，三星旨在縮小差距，甚至超越同城競爭對手 SK 海力士，後者因 AI 數據中心需求激增而在該領域獲得了早期領先。

根據一位行業官員的説法，這一舉措為三星在科技領域所需的復甦提供了急需的支持。

行業消息人士還提到，作為首個大規模生產最高性能 HBM4 的公司，三星在塑造市場方面擁有明顯的優勢。

Nvidia 預計將在其年度會議 GTC 2026 上揭曉結合 HBM4 的 Vera Rubin 加速器，該會議預計將在本月晚些時候舉行。三星提到，發貨時間是在與 Nvidia 的產品路線圖和下游系統級測試計劃協調後確定的。

除了速度，三星對該產品的技術處理也頗具特色。從一開始，該公司就計劃在 JEDEC 設定的標準上進行改進，採用行業首個將第六代 10 納米級 DRAM（1c）工藝與通過自身邊界生產的 4 納米邏輯芯片相結合的方案。

因此，三星的 HBM4 每秒傳輸速度約為 11.7 Gbps，遠高於 JEDEC 的 8 Gbps 標準。

這一數字也代表着相較於標準提高了 37%，相較於之前的 HMB3E 代際提高了 22%。

根據消息人士，單堆內存帶寬達到每秒 3 TB，約為其前身的 2.4 倍。此外，它還擁有 12 高堆疊設計，支持高達 36 GB 的容量。

根據行業估計，未來的 16 高配置容量可能增長至 48GB。

在大規模生產前預計會有進一步改進

儘管採用了尖端工藝，三星在大規模生產前已能夠實現穩定的良率，行業消息人士指出，隨着產量的增加，預計還會有進一步的改進。

三星還談到了能效，指出 HBM4 旨在最大化計算性能，同時降低能耗，幫助數據中心降低電力使用和冷卻成本。

該公司還預計今年的 HBM 銷售量將比去年增長三倍以上，並決定在其平澤校園的 4 號生產線安裝額外的生產線以擴大產能。該設施預計每月將生產約 100,000 到 120,000 片用於 HBM4 產品的 1c DRAM，行業消息人士補充道。

去年，三星已經為 1c DRAM 工藝建立了每月約 60,000 到 70,000 片的產能。

隨着計劃的擴張，HBM4 的總 1c 產量預計將增加到每月約 200,000 片，約佔三星總 DRAM 生產能力的四分之一，後者約為 780,000 片。

HBM4 市場預計將由三星和 SK 海力士主導，而美國的美光科技已被視為出局。根據市場追蹤機構 SemiAnalysis，SK 海力士預計將佔據約 70% 的 HBM4 市場，而三星將佔據剩餘的 30%。

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