Global debut! Intel showcases ZAM memory prototype: single chip 512GB, power consumption cut in half, directly competing with HBM

英特爾與軟銀合作開發的下一代 AI 內存技術 Z-Angle Memory（ZAM）完成全球首次公開亮相，這項旨在挑戰高帶寬內存（HBM）市場主導地位的新技術展示了顯著的性能優勢。該產品採用垂直堆疊架構，有望在降低功耗的同時大幅提升容量。

週三，根據 Wccftech 的報道，早期數據顯示 ZAM 可將功耗降低 40% 至 50%，單芯片容量最高可達 512GB，並通過 Z-Angle 互連技術簡化生產流程。這些特性使其成為應對當前 AI 應用能耗瓶頸和供應鏈緊張的潛在解決方案。

軟銀子公司 SAIMEMORY 於 2 月 3 日在 Intel Connection Japan 2026 活動上首次展示了 ZAM 原型產品。英特爾在博客文章中透露，原型產品計劃於 2027 年推出，全面商業化預計在 2030 年實現。

英特爾政府技術部門首席技術官、英特爾院士 Joshua Fryman 博士出席了此次活動。SAIMEMORY 由軟銀、英特爾和東京大學於 2024 年 12 月共同創立，並於 2025 年 6 月正式啓動運營，現任總裁兼首席執行官為 Hideya Yamaguchi。

垂直堆疊突破散熱瓶頸

據 PC Watch 報道，傳統內存採用平面堆疊結構，但這一設計正因功耗和散熱限制接近極限。當前設計已將 16 層堆疊推至接近最大值，20 層被視為上限。

ZAM 以 Z 軸命名，採用垂直堆疊芯片的設計。PC Watch 指出，與傳統 DRAM 相比，這種設計承諾實現更低功耗、更高容量和更寬帶寬。通過垂直堆疊，每個芯片產生的熱量可均勻向上傳導，解決了長期困擾平面堆疊的散熱難題。

Wccftech 援引英特爾的説法稱，這一架構的主要優勢在於其卓越的熱管理能力。

技術路徑瞄準 HBM 與 DDR 之間空白

這款新內存產品預計將採用英特爾的下一代 DRAM 鍵合（NGDB）技術。桑迪亞國家實驗室 1 月發佈的信息顯示，當前高帶寬內存往往以犧牲容量等性能來換取更高帶寬。

NGDB 技術旨在消除這種權衡，在 HBM 和傳統 DDR DRAM 之間架起橋樑，同時提供顯著更高的能效。

根據軟銀髮布的新聞稿，ZAM 項目的原型產品預計在截至 2028 年 3 月 31 日的財年內完成，商業化目標鎖定 2029 財年。英特爾院士 Joshua Fryman 博士在聲明中表示，標準內存架構無法滿足 AI 需求，英特爾開發的新架構和組裝方法在提升 DRAM 性能的同時降低了功耗和成本。

PC Watch 報道稱，SAIMEMORY 強調其強大的合作伙伴關係，包括與軟銀和英特爾的合作，以及由國內外投資者和供應鏈合作伙伴組成的網絡。這表明英特爾可能並非 SAIMEMORY 唯一的全球合作伙伴。

軟銀與英特爾的這一合作旨在在 HBM 主導的市場格局中開闢新路徑，直指當前 AI 面臨的能耗瓶頸和供應鏈緊張難題。

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