The memory super cycle may be hard to sustain? Samsung predicts: DRAM shortage may end before 2028

華爾街見聞
2026.03.16 06:24
portai
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三星預判 DRAM 超級週期將於 2028 年終結,為避免重蹈產能過剩覆轍,正協同 SK 海力士採取 “戰略性剋制”。隨着產能優先向高利潤的 HBM 傾斜,傳統 DRAM 供給遭擠壓,導致手機物料成本最高攀升 25%。巨頭們通過管控稀缺維持高獲利,溢價壓力正加速向消費終端傳導。

人工智能熱潮將存儲芯片行業推至罕見景氣週期,但兩大巨頭正在主動踩剎車。

三星電子與 SK 海力士正對 DRAM 擴產計劃持更為審慎的態度,據韓國媒體報道,三星內部預計本輪存儲短缺將於 2028 年前後趨於緩解,並據此校準投資節奏,以避免重蹈過度擴張的覆轍。與此同時,SK 海力士亦多次公開表態,將以實際需求而非樂觀預期作為擴產依據。

上述策略正在向整條供應鏈傳導。在高帶寬內存(HBM)持續吞噬封裝與測試產能的背景下,傳統 DRAM 的有效供給受到進一步壓縮,合同價格與現貨價格雙雙大幅攀升。據報道,DRAM 成本上漲將使智能手機物料清單(BoM)提升最高 25%,中低端機型首當其衝。

當前局面並非單純的供應缺口,而更接近一種由利潤邏輯主導的結構性稀缺——兩大供應商在充分享受短缺紅利的同時,刻意控制產能投放節奏,以規避下一輪過剩週期的風險。對於原始設備製造商(OEM)和終端消費者而言,這意味着存儲價格在相當一段時期內難以迴歸此前的低位區間。

HBM 蠶食傳統 DRAM 產能,結構性矛盾持續深化

AI 加速器的爆發式需求使 HBM 成為存儲行業當前最具盈利能力的產品線。來自英偉達、AMD 以及各類定製 ASIC 的訂單持續增長,而 HBM 的生產不僅佔用晶圓產能,更高度依賴硅通孔(TSV)工藝、堆疊封裝、熱驗證及良率管理等高度專業化的後端資源,其複雜程度遠超傳統 PC 或智能手機 DRAM。

這一優先級的切換直接擠壓了常規 DRAM 的產能分配。三星與 SK 海力士越是將資源向利潤率最高的 HBM 產線傾斜,傳統 DRAM 細分市場所承受的供給壓力便越大。成本抬升已不再侷限於服務器領域,而是加速向消費終端蔓延——智能手機感受尤為明顯,存儲成本在整機 BoM 中的權重正顯著回升。

三星錨定 2028:超週期終結預期主導投資節奏

DRAM 市場當前正經歷多季度以來最為劇烈的短缺,合同價格出現三位數漲幅,已超出行業以往的歷史經驗範圍。在此背景下,三星的研判格外值得關注——該公司預計,這一輪以 AI 算力需求為主要驅動力的內存超週期將在 2028 年前後走向終結。

為應對這一前景,三星正調整資本支出節奏,將擴產計劃與需求預測更緊密地對齊。據報道,避免"過度投資"已成為三星當前內存業務戰略的核心關切之一。

理解當前謹慎策略的背景,需回溯疫情退潮後的那段慘痛經歷。彼時 PC 換機需求驟降,企業端採購同步萎縮,製造商手握過剩庫存,價格持續下行,利潤空間急劇收窄,韓國存儲巨頭深陷這一週期泥潭,至今記憶猶新。

這段歷史,正是兩家公司如今對"擴大生產設施"保持高度警惕的重要原因。供應商普遍擔憂,一旦貿然擴產,而需求端在基礎設施投資趨穩後出現回落,將重蹈此前過剩週期的覆轍。

消費終端腹背受敵,OEM 利潤緩衝趨於耗盡

對於智能手機、筆記本電腦及 SSD 存儲等下游製造商而言,處境正在惡化。DRAM 成本大幅走高疊加供給優先向 HBM 傾斜,意味着普通消費類產品面臨的採購壓力將持續累積。

以智能手機為例,若存儲成本在 BoM 中的佔比出現兩位數百分點的提升,將對競爭激烈的中端及走量機型產生直接衝擊。分析認為,OEM 屆時只剩三條路可選:壓縮自身利潤、降低產品規格,或上調終端零售價。而在當前市場競爭格局下,對消費者最友善的選項往往排在最後。各環節的利潤緩衝並非無窮無盡,價格壓力向終端傳導只是時間問題。

綜合來看,三星與 SK 海力士的行為邏輯是清晰而一致的:在過熱市場中充分變現短缺紅利,同時拒絕重複過去盲目擴張後深陷折價去庫存的困境。

當前存儲市場所呈現的,並非傳統意義上的硬性供應缺口,而更像是一種由明確利潤邏輯驅動的戰略性管控稀缺——供給量恰好足以維持價格高位,卻不足以終結這場盛宴。在 HBM 持續提供最高毛利率的前提下,傳統 DRAM 將在相當長的時間內維持"被需要但不被優先"的地位。任何期待存儲價格迅速回歸舊有低谷的市場參與者,或許需要重新校準預期。