Samsung HBM plan: HBM4 dominates this year's shipments, HBM5 substrate upgraded to 2 nanometers

三星電子正加速推進下一代高帶寬內存佈局。在 HBM4 今年正式進入量產的同時，三星已將目光投向更遠一代產品——計劃將 HBM5 基片工藝從 4 納米提升至 2 納米，並以 1d DRAM 作為 HBM5E 的核心堆疊存儲。與此同時，HBM4 將佔據今年三星 HBM 總出貨量的逾半數，整體 HBM 產能較去年增長超過三倍。

據 ETNews 和韓聯社報道，三星電子內存開發負責人、副總裁 Hwang Sang-jun 在英偉達 GTC 大會上披露了上述規劃。他表示，HBM5 的基片（base die）將採用三星晶圓代工的 2 納米工藝，較 HBM4 及 HBM4E 所用的 4 納米工藝實現跨代升級，以滿足下一代 AI 工作負載對內存性能的更高要求。

在產能目標方面，Hwang Sang-jun 表示，三星計劃今年 HBM4 在全部 HBM 出貨中的佔比超過 50%，同時整體 HBM 產量較去年提升逾三倍。這一表態顯示出三星在 AI 存儲市場的擴張決心，對高端 DRAM 供應格局及下游 AI 加速器供應鏈具有直接影響。

除存儲路線圖外，Hwang Sang-jun 還透露，推理芯片 Groq 3 正在三星平澤園區生產，量產目標定於今年第三季度末至第四季度初，訂單量已超出預期。三星由此從單純的內存供應商向 AI 加速器全棧合作伙伴進一步延伸。

據 ETNews 報道，Hwang Sang-jun 在英偉達 GTC 上明確表示，HBM5 的基片將採用三星晶圓代工的 2 納米工藝，較 HBM4 及 HBM4E 所使用的 4 納米工藝實現重要升級。基片工藝的提升通常有助於改善內存帶寬與能效表現。

Hwang Sang-jun 指出，採用前沿製程雖會帶來成本上升，但為達成 HBM 的目標性能，引入先進工藝不可避免。這一表態明確了三星在高端 AI 存儲領域以工藝升級驅動性能躍遷的技術路徑。

在 HBM5E 層面，據 ETNews 報道，Hwang Sang-jun 表示該產品將以 1d DRAM 作為核心堆疊存儲，相較於 HBM4 及 HBM4E 所採用的 1c DRAM 再度升級。

用於 HBM5E 的 1d DRAM 目前仍處於三星內部研發階段，尚未商業化。不過，據 ETNews 援引知情人士稱，三星已在該技術上取得較強的性能表現與測試良率，顯示出向量產推進的積極信號。

據韓聯社報道，Hwang Sang-jun 表示，三星今年的目標是使 HBM4 在全部 HBM 出貨中的佔比超過 50%，同時全年 HBM 產量較去年提升超過三倍。

HBM4 今年才正式進入量產階段。三星計劃在推動規模化量產的同時，大幅擴充整體 HBM 產能，以匹配 AI 芯片市場對高帶寬內存持續攀升的需求。上述產能擴張計劃若得以落實，將對高端 DRAM 市場的供應格局產生實質影響。

在存儲業務之外，三星正通過代工 Groq 3 推理芯片進一步擴展在 AI 加速器產業鏈中的定位。

據韓聯社報道，Hwang Sang-jun 表示，英偉達 CEO Jensen Huang 已公開認可三星在 Groq 3 上的貢獻，該芯片正在三星平澤園區生產，量產目標為今年第三季度末至第四季度初，當前訂單量已超出預期。

據韓聯社報道，Groq 3 芯片裸片面積超過 700 平方毫米，每片晶圓僅可切出約 64 顆芯片，遠低於通常的 400 至 600 顆。該芯片約 70% 至 80% 的面積由 SRAM 構成，可在片上完成快速推理運算，無需依賴外部 HBM。Hwang Sang-jun 還透露，Groq 早在與英偉達簽署許可協議之前，便已是三星晶圓代工的客户。

據 SEDaily 報道，三星代工 Groq 3 LPU 芯片被市場廣泛視為其成為下一代 AI 加速器全棧平台核心合作伙伴的重要標誌。在三星晶圓代工部門進入英偉達供應鏈之後，三星的角色已從此前單純供應內存，延伸至 LPU 製造領域，與英偉達生態系統的合作深度進一步擴展。