
Micron Bets on GDDR Stacking Tech First, Quietly Igniting a New Race in the AI Memory Market
美光正尋求將圖形內存(GDDR)像高帶寬內存(HBM)一樣垂直堆疊,以填補 HBM 與普通 GDDR 之間的市場空白。美光已啓動新品研發工作,計劃今年下半年進入工藝測試,最快明年推出樣品。這一佈局早於三星電子和 SK 海力士,有望令美光在這一新興細分市場搶佔先機。
美光科技正尋求在 AI 內存領域開闢新賽道——將圖形內存(GDDR)像高帶寬內存(HBM)一樣垂直堆疊,以填補 HBM 與普通 GDDR 之間的市場空白。
據韓國電子新聞(ETNews)報道,美光已啓動 GDDR 垂直堆疊新產品的開發工作,計劃於今年下半年完成相關設備部署並進入工藝測試階段。
初期預計實現約四層的 GDDR 堆疊,最快明年推出樣品。這一佈局早於三星電子和 SK 海力士,有望令美光在這一新興細分市場搶佔先機。
此舉的背景是 AI 應用場景持續擴展帶動內存需求加速分化。GDDR 憑藉成本優勢,正被越來越多地應用於 AI 推理加速器,但其帶寬瓶頸限制了進一步滲透。通過堆疊技術提升 GDDR 的性能,或將為這一市場打開新的增長空間。
GDDR 堆疊:定位 HBM 與普通內存之間的價格帶
GDDR 是一種專為視頻處理和 3D 圖形渲染優化的內存,長期以來主要應用於顯卡和遊戲設備。與 HBM 相比,GDDR 帶寬較低,但價格更具競爭力,近年來已開始進入部分 AI 加速器。
美光此次開發的堆疊 GDDR 產品,目標是打造一款性能介於 HBM 與普通 GDDR 之間的新品——帶寬優於現有 GDDR,但成本低於 HBM。該產品規格目前已在與 AI 加速器等客户的需求對接中進行討論,市場方向明確指向客户定製需求。
分析人士認為,堆疊 GDDR 將佔據 HBM 與非堆疊 GDDR 之間的中間市場,同時也有望在持續增長的高性能遊戲顯卡領域獲得可觀需求。AI 市場規模擴大推動了多元化產品需求——英偉達在推理專用芯片中採用 SRAM,正是這一趨勢的典型案例。
技術壁壘與成本控制是量產關鍵
儘管市場前景受到關注,GDDR 堆疊技術目前仍處於早期階段,此前僅見於學術論文和前沿技術研究,尚無量產先例。
業界指出,美光面臨多項技術挑戰,包括 GDDR 芯片間的堆疊互聯方式、功耗管理及散熱控制等。在成本層面,堆疊工藝引入的額外製造費用同樣不可忽視——若無法相對於 HBM 保持足夠的性價比優勢,產品的市場競爭力將大打折扣。
一位行業人士表示:
"過去,除技術問題外,GDDR 堆疊的市場定位模糊,是其商業化遲遲未能推進的重要原因。隨着 AI 內存市場格局演變,GDDR 堆疊的必要性開始凸顯,美光此次嘗試有望成為新一輪內存堆疊競賽的起點。"
搶跑三星與 SK 海力士,佈局新興細分賽道
美光此次入局 GDDR 堆疊,具有明顯的先發戰略意圖。目前三星電子和 SK 海力士尚未公開宣佈類似計劃,美光若能率先實現技術突破並完成商業化,將在這一細分領域建立競爭壁壘。
從市場規模來看,堆疊 GDDR 當前仍屬於利基市場。但隨着 AI 推理應用的持續普及以及多樣化加速器硬件需求的增長,其潛在空間不容小覷。
美光顯然已將這一判斷納入產品戰略,選擇在市場格局尚未明朗之際率先落子。
