ASML Earnings Call Sets Tone: Memory Customer Capacity Sold Out for 2026, Long-Term Contracts Provide Floor; Non-EUV Growth 'Cyclical Turning Point Confirmed'

阿斯麦电话会要点如下：

全年指引上修，出口管制已纳入。公司将全年净销售额预期上调至 360 亿至 400 亿欧元。管理层明确表示，这一指引区间已包含出口管制不确定性的潜在影响。

存储客户 2026 年产能售罄。客户明确告知，2026 年产能已全部售罄，供应紧张将持续到 2026 年以后。大量需求背后有下游客户的长期承诺支撑。

非 EUV 业务需求逆转。此前预期非 EUV 业务与去年持平，现上调至增长。浸没式 DUV 需求在 2025 年大幅走弱后已逆转，今年销量预计接近去年水平。

技术路线方面，High NA 减掩模缩步骤。客户报告显示，High NA 可将 EUV 掩模从 3 块减至 1 块，工艺步骤从 100 步压缩至 10 步，且可覆盖未来 3 至 4 个制程节点。1000 瓦光源确保 Low NA 可延伸至 2031 年。

产能目标清晰。2026 年 Low NA EUV 出货至少 60 台，2027 年至少 80 台。

4 月 15 日，ASML 举行业绩电话会。一季报全线好于预期：净销售额 87.7 亿欧元、净利润 27.6 亿欧元、毛利率 53%，均高于市场预期。同时，公司还将全年净销售额指引上调至 360 亿至 400 亿欧元。

然而，二季度指引却成为股价的短期压力源——销售额中值约 87 亿欧元，低于市场预期的 90.7 亿欧元，毛利率也环比下滑。这份偏弱的短期指引，导致盘后股价一度跌超 2%。

市场真正担心的，是三个更长期的问题：非 EUV 业务改善是短单回补还是周期性拐点？存储扩产前移能否持续？出口限制收紧后腾挪空间有多大？电话会上，管理层逐一给出了明确答案。

关于非 EUV 业务： 此前预期与去年持平，现上调至增长。核心驱动力浸没式 DUV 需求在 2025 年大幅走弱后 “已经逆转”，今年销量预计接近去年水平。管理层口风偏暖：非 EUV 需求逆转，暗示拐点而非短单。

关于存储扩产： CEO 明确表示，客户 2026 年产能 “已经售罄”，供应紧张将持续到 2026 年以后。更重要的是，大量需求背后有下游客户的长期承诺支撑——这不是投机性备货，而是有真实需求托底的扩产前移。

关于出口管制： 公司表示，360 亿至 400 亿欧元的全年指引区间已包含出口管制不确定性的潜在影响，自认具备足够的缓冲能力。

此外，产能目标与技术突破进一步强化信心： 2026 年 Low NA EUV 出货至少 60 台，2027 年至少 80 台。技术层面，1000 瓦光源确保 Low NA 延伸至 2031 年；High NA 可将掩模从 3 块减至 1 块、工艺步骤从 100 步压缩至 10 步，覆盖未来 3 至 4 个节点。

非 EUV 业务改善：从 “持平” 到 “增长”，周期性拐点确立

ASML 在本次财报中显著上调了对非 EUV 业务的全年预期。此前，公司预计该业务收入与 2025 年基本持平，但本季度管理层明确表示，需求已出现实质性逆转。首席财务官罗杰·达森在访谈中指出：“我们现在看到该业务的需求实际上也在增加。因此，我们预计非 EUV 业务收入将增加。”

这一变化的核心驱动力来自浸没式 DUV 业务的回暖。罗杰·达森透露，2025 年浸没式 DUV 需求曾大幅走弱，导致今年开局偏慢，但此后需求趋势已发生逆转。“尽管开局缓慢，就今年而言，按单位数量计算，我们仍然预计浸没式 DUV 的销售额将与去年非常接近。” 干式 DUV 及应用业务同样表现良好。

从定性角度看，这一改善并非短期订单回补，而是结构性拐点。客户产能持续紧张、AI 基础设施投资外溢至成熟制程，以及长期产能建设计划的落地，共同支撑了非 EUV 需求的可持续性。

存储扩产前移：2026 年确定性高，持续性待验证

存储芯片客户的需求是本季度业绩超预期的重要支撑。据首席执行官克里斯托夫·富凯透露，主要存储客户的产能状况已十分紧张。他明确表示：“我们的客户告诉我们，他们 2026 年的产能已经售罄，供应紧张将持续到 2026 年以后。”这意味着客户扩产计划已大幅前移，对阿斯麦的设备交付形成了明确且紧迫的需求。

从需求结构看，先进存储（尤其是与 AI 相关的 HBM 等）是扩产的主力。克里斯托夫·富凯进一步指出，客户不仅增加了资本支出，还 “试图加速其在 2026 年及以后的产能爬坡”。更重要的是，大量需求背后有来自其下游客户的长期承诺支持，增强了订单的可见度。

然而，2027 年及以后的持续性仍需观察。目前阿斯麦并未披露客户长期承诺的具体覆盖年限或签约进度。虽然 AI 基础设施投资的中长期逻辑稳固，但存储芯片固有的周期性波动意味着，一旦终端需求增速放缓，扩产节奏可能面临调整。

产能规划：2026 年低数值孔径 EUV 出货目标至少 60 台

为应对客户需求加速，阿斯麦正积极扩充自身产能。罗杰·达森表示，2026 年公司目标低数值孔径 EUV 系统出货量至少达到 60 台；展望 2027 年，若客户需求持续支撑，低数值孔径 EUV 出货量有望提升至至少 80 台。

在非 EUV 产品线方面，公司亦计划使相关业务与客户在各节点的需求保持匹配。克里斯托夫·富凯补充称，公司将持续与客户紧密协作，通过新系统出货、现有系统性能升级以及安装基础产品三管齐下，帮助客户扩充产能。

技术路线：Low NA EUV 可延伸至 2031 年，High NA 加速走向量产

在技术进展方面，克里斯托夫·富凯表示，阿斯麦在 SPIE 光刻技术大会上展示了 1000 瓦光源，这一突破确保了低数值孔径 EUV 的长期可延伸性——预计到 2031 年，该设备每小时可处理 330 片晶圆，较现有水平大幅提升。

短期内，ASML 已将 NXE:3800E 系统的吞吐量从每小时 220 片提升至 230 片；下一代系统 NXE:3800F 的规格亦从每小时 250 片提升至 260 片，预计将于 2028 年前后助力产能提升。

高数值孔径 EUV 方面，克里斯托夫·富凯表示，客户在 SPIE 大会上开始公开讨论 High NA 的应用进展。客户报告显示，High NA 可将 EUV 所需掩模版数量从 3 块减少至 1 块，并将工艺步骤从 100 步压缩至 10 步。在生态系统层面，光刻胶合作伙伴的研究表明，High NA 在逻辑芯片领域可延伸至 18 纳米线间距，在存储芯片领域可延伸至 28 纳米孔径，且可覆盖 3 至 4 个制程节点。克里斯托夫·富凯表示，随着客户开始在真实产品上测试 High NA，设备成熟度持续提升，每日晶圆产出数据持续改善。

出口限制风险：当前指引已预留缓冲空间

在地缘政治不确定性持续升温的背景下，出口管制对 ASML 业务的影响备受关注。本次财报中，管理层罕见地主动回应了这一问题。罗杰·达森明确表示：“在我们提供的 360 亿至 400 亿欧元的指引范围内，我们相信我们能够应对目前正在进行的出口管制讨论可能产生的结果。”

这一表态传递出两个重要信号。其一，ASML 对自身业务的地理结构和产品组合具有信心，认为即便限制收紧，仍可通过调配资源、优先满足其他市场需求来对冲负面影响。罗杰·达森此前也强调，公司正 “完全与客户保持一致，为他们提供所需的东西”，这种灵活性是应对地缘政治不确定性的重要基础。其二，公司并未将出口限制视为颠覆性风险，而是在指引层面已做了相应的保守预估。

当然，出口管制的演变路径仍具有高度不确定性。若限制范围超出当前预期，或涉及更多先进设备型号，ASML 的实际腾挪空间仍需动态评估。但就目前而言，公司明确传递了 “可控” 的信号。

以下是业绩视频全文内容（由 AI 辅助翻译）：

大家好，欢迎收看 ASML 2026 年第一季度业绩视频。欢迎克里斯托夫和罗杰。

罗杰，能否请您先为我们总结一下 2026 年第一季度的业绩？

本季度总净销售额为 88 亿欧元，符合指引。其中，安装基础业务收入为 25 亿欧元，略高于指引。第一季度毛利率为 53%，处于我们指引区间的高端。我刚才提到的安装基础业务超出了我们的预期。该业务中的某些部分实际上带来了相当强劲的毛利率。因此，我们实现了 53% 的较高毛利率。本季度净利润为 28 亿欧元。

2026 年第二季度指引

您能否也提供一下 2026 年第二季度的业绩指引？

对于第二季度，我们预计总净销售额在 84 亿至 90 亿欧元之间。其中，安装基础业务收入预计仍为 25 亿欧元。我们预计毛利率在 51% 至 52% 之间。

市场动态

克里斯托夫，现在换您来回答。能否请您谈谈对市场的展望以及您目前对形势的看法？

我认为我们看到半导体行业的增长持续稳固。这仍然主要由对人工智能基础设施的投资所驱动。这转化为对先进存储芯片、先进逻辑芯片的巨大需求。我们预计，在可预见的未来，供应将无法满足需求。这从人工智能到移动设备和个人电脑的终端市场造成了严重的供应制约。因此，我们的客户被强烈要求创造更多产能。从存储芯片来看，我们的客户告诉我们，他们 2026 年的产能已经售罄，供应紧张将持续到 2026 年以后。对于先进逻辑芯片，我们看到客户正在为多个节点建设产能，同时他们也在继续提升 2 纳米制程的产能，以满足人工智能产品的需求。

那么，我想可以公平地说，这些产能的增加中有很多都对我们的自身展望产生了积极影响？

绝对如此。我们看到存储芯片和逻辑芯片客户正在增加资本支出，并试图加速其在 2026 年及以后的产能提升。同样非常有趣的是，这种需求中有很大一部分得到了客户自身客户的长期承诺的支持。最重要的是，我们看到存储芯片客户（DRAM 客户）和先进逻辑芯片客户都在继续增加对极紫外光刻（EUV）和浸没式光刻（immersion）的采用。这基本上转化为更高的光刻强度和更高的 ASML 光刻需求。因此，我们将继续与客户紧密合作以提高我们的产能。我们在 2026 年正在这样做，并将在 2027 年继续这样做。

罗杰，或许请您补充一下。能否提供更多细节，说明我们实际将采取哪些措施来增加产能以支持市场需求？

我认为克里斯托夫说得对。我们非常明确地与客户合作，完全与客户保持一致，为他们提供所需的东西。这包括通过新系统出货来增加产能，尽我们所能升级系统性能，以及提供安装基础产品。通过这种组合，我们努力满足客户的需求。具体到我们自身的产能，就今年（2026 年）而言，我们相信能够实现至少 60 套低数值孔径（Low NA）EUV 系统的产出。这是我们目前正在努力的方向。

此外，我们也在关注 2026 年的深紫外光刻（DUV）。正如我几个月前提到的，在浸没式 DUV 方面，我们实际上开局有点慢，因为在去年（2025 年）的过程中，我们看到的浸没式 DUV 需求显著降低。现在这种情况已经逆转了。我想说，尽管开局缓慢，就今年而言，就单位数量而言，我们仍然预计浸没式 DUV 的销售额将与去年非常接近。这就是 2026 年的情况。

展望 2027 年的产能，我们正在逐季度提高我们的生产节拍。具体到 Low NA EUV，我们预计到 2027 年能够实现——同样，如果客户需求真正支撑这一点的话——我们相信可以达到至少 80 套 Low NA EUV 设备的产出。我们也在努力使非 EUV 业务与客户对其所有节点的需求保持一致。

2026 年全年指引

具体到 2026 年，能否介绍一下我们自身业务的全年最新情况？

显然，2026 年的发展态势非常好。这是非常强劲的一年。我们预计将是强劲增长的一年。基于克里斯托夫所谈到的所有客户动态，我们实际上正在收窄并同时上调我们今年的预期区间至 360 亿至 400 亿欧元。

如果看一下不同的组成部分，正如我们已经预期的，今年 EUV 业务将表现强劲。所以 EUV 业务（包括 Low NA EUV 和 High NA EUV）今年将表现强劲。在非 EUV 业务方面，此前我们预计该业务与去年相比持平。但现在，我们看到该业务的需求实际上也在增加。因此，我们预计非 EUV 业务收入将增加。我已经提到了我们在浸没式 DUV 方面的努力，干式 DUV 业务表现也相当不错。应用业务也是如此。因此，我们相信，与我们几个月前的情况相比，我们预计非 EUV 业务将实现增长。在安装基础业务方面，也将实现强劲增长。因为很明显，这是我们的客户增加产能以满足克里斯托夫所谈到的需求的一种非常快速的方式。

我想说的是，在我们提供的 360 亿至 400 亿欧元的指引范围内，我们相信我们能够应对目前正在进行的出口管制讨论可能产生的结果。

2026 年的毛利率如何？

对于毛利率，我们维持 51% 至 53% 的预期。

技术更新

现在稍微转换一下话题，谈谈技术。克里斯托夫，您能否就我们技术及路线图的进展提供一些见解和最新情况？

我们继续很好地执行我们的技术路线图。每年，我们都会利用 SPIE（国际光学工程学会）会议向全世界简要介绍我们所取得的成就。今年有几个重要的新闻：第一个是我们展示了 1000 瓦光源。这非常重要，因为它意味着我们可以确保 Low NA EUV 在未来的许多年里都具有可扩展性。这实际上意味着，到 2031 年，我们将能够以每小时 330 片晶圆的速度运行该设备，这比我们今天的水平有了重大提升。

现在，EUV 的进展对短期也有良好的影响。我们已经成功地将 NXE:3800E 设备的吞吐量从每小时 220 片晶圆提高到 230 片。这对短期产能也有帮助。我们的客户很高兴能够从每台设备中获得更多晶圆。我们还在将下一代系统 NXE:3800F 的规格提高到每小时 260 片晶圆，此前是每小时 250 片。这也将有助于我们在 2028 年左右的产能。

同样在 SPIE 会议上，我们的高数值孔径平台也有一些进展更新。您能分享一下吗？

SPIE 会议的好处是，我们的客户开始谈论 High NA。他们报告了一些情况。第一件事当然是，High NA 可以让他们显著减少掩模数量。DRAM 和逻辑客户谈到，使用 High NA 可以将 EUV 的掩模数量从 3 个减少到 1 个。他们还提到，这可以将工艺步骤从 100 步减少到 10 步。这当然是意义重大的。这也就是我们开发 High NA 的原因。

我们还看到了生态系统方面的巨大进步。我们的一些光刻胶合作伙伴做了精彩的演示，指出 High NA 在逻辑芯片方面可以扩展到 18 纳米线宽和间距，在存储芯片方面可以扩展到 28 纳米孔尺寸。这基本上意味着，High NA 不仅已准备好进入黄金时代，而且我们已经知道 High NA 主要可以扩展到 3 到 4 个节点。这对我们的客户来说当然非常、非常重要。

最后，设备的成熟度很重要。我们继续看到更好的可用性数据。每天产出更多晶圆，总产出更多。当然，随着我们看到客户开始在真实产品上测试 High NA，这一点变得越来越重要。

感谢二位今天参加我们的访谈。谢谢。不客气。