Is the "Duo Era" of HBM Around the Corner? UBS: Samsung's Market Share Expected to Catch Up with SK Hynix Next Year

AI 算力軍備競賽持續升温，HBM（高帶寬內存）市場格局正在悄然生變。

瑞銀在最新研報表示，到 2027 年，三星有望在 HBM 比特出貨量上與 SK 海力士並駕齊驅，各自佔據約 40% 的市場份額，美光則約為 20%——這將是 HBM 市場格局的歷史性重塑，對相關標的投資者而言意義深遠。

在需求層面，瑞銀將 2026 年 HBM 終端比特需求從 315 億 Gb 上調至 329 億 Gb（同比增長 88%），2027 年從 539 億 Gb 大幅上調至 580 億 Gb（同比增長 76%）。主要修正來源是谷歌 TPU 採購量假設的提升。

與此同時，英偉達 Rubin Ultra 的 HBM 配置從此前假設的 1TB（HBM4E 16-Hi）下調為 768GB（HBM4E 12-Hi），報告指出這"仍是尚在演變中的情況，尚無最終決定"，認為此舉折射出英偉達在主動規避供應瓶頸、以及 16-Hi 堆疊熱壓焊工藝良率挑戰上的預先佈局。

在定價層面，服務器內存漲價幅度同樣超出預期。瑞銀將二季度 DDR 合約價格漲幅預測從此前的 +37% 大幅上調至約 +60%（環比），預計服務器 DDR 均價將達每 Gb 1.95 美元，部分 DDR5 報價已接近 2.10 美元，較一季度的 1.15 美元大幅跳升。三季度漲幅維持 +10% 預測，並預計服務器 DDR 到 2027 年四季度將接近 2.80 美元/Gb。NAND 閃存方面，二季度綁定合約漲價預測亦從 +40% 上調至 +60%，同樣由服務器 SSD 需求驅動。

三星的 HBM 反攻是此次報告最值得關注的主線。

瑞銀維持三星 2026 年 HBM 出貨預測 97 億 Gb（同比 +124%），但將 2027 年預測從 203 億 Gb 大幅上調至 230 億 Gb（同比 +137%），背後支撐是三星近期的資本支出提前部署。若預測兑現，2027 年三星和 SK 海力士將雙雙佔據 40% 的 HBM 比特市場份額，實現平分秋色。

反觀 SK 海力士，此次報告小幅下調其 HBM 出貨預測——2026 年從 184 億 Gb 降至 177 億 Gb（同比 +40%），2027 年從 247 億 Gb 降至 231 億 Gb（同比 +30%）。

原因並非 HBM 競爭力減弱，而在於客户持續強烈要求 SK 海力士將更多產能轉向 DDR5 和 LPDDR5X。報告明確強調，HBM4 並非即將於下半年放量的 Rubin 產品線的供應瓶頸。

從客户結構看，英偉達 2026 年仍佔 HBM 需求約 60%，但 2027 年這一比例將降至 48%；谷歌的佔比則將從 2026 年的 19% 躍升至 2027 年的 27%，與瑞銀同期上調的 Broadcom 及 MediaTek 預測相互印證。

產品代際上，2026 年以 HBM3E 12-Hi 為主（佔 47%），到 2027 年 HBM4 將成為核心（佔 44%），HBM4E 佔比達 21%。定價方面，2027 年 HBM4/HBM3E 每比特均價假設從持平上調為同比 +30%，HBM4E 相較 HBM4 的溢價維持 +50% 不變。

整體來看，瑞銀月報傳遞出一個清晰信號：AI 基礎設施建設熱潮仍在加速，內存供需偏緊格局持續，定價重心全面上移；三星的追趕態勢正在加速重塑 HBM 競爭格局，雙寡頭格局或比市場預期更快到來。