Report: Samsung and NVIDIA Expand Cooperation, Negotiations Extend to HBM5 and Next-Generation Groq Chips

三星電子與英偉達正將雙邊合作推向新的深度，談判範圍已從當前產品線延伸至下一代高帶寬內存及芯片代工領域，標誌着這兩家科技巨頭在 AI 基礎設施供應鏈上的戰略綁定進一步加強。

據 TrendForce News 週二報道，三星電子副會長全永鉉（Jun Young-hyun）於 6 月 8 日與英偉達 CEO 黃仁勳舉行會談，雙方就 HBM 及代工服務的潛在合作展開討論。

全永鉉表示，近期首要任務是確保今年 HBM4 及 SOCAMM 的穩定供應，同時雙方也就明年起的長期合作進行了磋商，涵蓋 HBM4E、代工服務及 HBM5。

此次會談發生在黃仁勳高調訪問韓國、並與 SK 海力士舉行一系列會面之後，外界對三星能否在英偉達供應鏈中鞏固地位高度關注。全永鉉雖未就雙方是否將簽署長期內存供應協議作出確認，但據 Newspim 報道，他表示三星將竭盡全力作為英偉達的重要合作伙伴支持其成功。

代工合作延伸至下一代 Groq 芯片

在代工業務層面，三星與英偉達的合作範圍正在擴大。三星正與英偉達就利用先進製程生產下一代芯片展開談判，涉及 Drive AGX Thor 自動駕駛芯片及 Groq 語言處理單元（LPU）。

全永鉉表示三星目前正以 4nm 和 8nm 製程為英偉達生產自動駕駛及 Groq 芯片，合作還延伸至下一代 Groq 芯片。三星目前以 4nm 製程生產第三代 Groq LPU（LP30），全永鉉的表態意味着三星同樣具備生產下一代 LP40 的能力——儘管業界此前普遍預期台積電憑藉先進封裝優勢將拿下該訂單。

英偉達 CEO 黃仁勳在英偉達韓國 AI 生態系統接待會的問答環節中亦就雙方合作作出表態。據 Dealsite 報道，黃仁勳表示英偉達與三星在 ASIC 領域長期合作，目前正共同開發新的 ASIC 產品，雙方在內存技術領域也有着長期合作歷史。

內存供應覆蓋 Vera Rubin 平台全線產品

在內存業務方面，三星已為英偉達的 Vera Rubin 平台提供多款產品。三星正為該平台供應第六代 HBM4 內存，數據傳輸速率為 11.7 Gbps；同時為 Vera CPU 提供基於 LPDDR5X 的 SOCAMM2 模組，以及基於 PCIe Gen6 的 PM1763 存儲解決方案。

在下一代產品方面，三星的 HBM4E 將 DRAM 核心芯片與自研 4nm 代工基礎芯片相結合，傳輸速度達到 14 Gbps，測試中最高可達 16 Gbps。這一技術參數若能順利量產，將有助於三星在高端 HBM 市場與 SK 海力士展開更直接的競爭。

長期協議懸而未決，合作框架仍在成形

儘管雙方合作範圍持續擴大，但關鍵的長期供應協議尚未落定。全永鉉在被問及是否將簽署長期內存供應協議時未予正面確認，措辭相對審慎。

從整體格局來看，此次會談涵蓋 HBM4、HBM4E、HBM5、代工製程及 ASIC 聯合開發等多個維度，顯示雙方合作已從單一產品採購向更深層次的技術協同演進。對於投資者而言，三星能否在代工端成功爭取到 LP40 訂單、並在 HBM 供應鏈中進一步提升份額，將是衡量此輪合作實質進展的關鍵指標。

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