
韓國 1.3 萬億美元戰略落地,半導體設備股應聲暴漲,ASML 創歷史新高
三星與 SK 海力士宣佈在韓國西南部合建四座存儲芯片工廠,目標五年內 DRAM 產能翻倍,背後是韓國總計約 1.3 萬億美元的 “三大超級項目” 戰略佈局。消息刺激半導體設備股大漲,ASML 收盤漲 6.8% 創歷史新高,KLA 漲 8%;中國 A 股清洗設備龍頭盛美上海、熱處理設備廠商屹唐股份等在韓有業務佈局的企業亦受到市場關注。
6 月 29 日,韓國總統李在明在青瓦台主持“大韓民國大飛躍三大超級項目” 國民報告會,三星電子董事長李在鎔、SK 集團董事長崔泰源同台直接發佈投資計劃。該戰略以 “半導體、AI 數據中心、物理 AI” 為三大支柱,覆蓋 2026-2036 年,總投資約 2000 萬億韓元(約 1.3 萬億美元),投資規模相當於台積電在美國亞利桑那州投資規模(1650 億美元)的 7.8 倍。
消息刺激半導體設備股大漲。週二,ASML 在阿姆斯特丹收盤上漲 6.8%,創下歷史新高。在紐約,Applied Materials 收漲約 4%,KLA 收漲 8%。
華泰研究指出,產業鏈相關海外公司包括光刻龍頭 ASML、應用材料、東京電子等全球主要前道設備供應商,以及存儲收入佔比較高的 Kokusai Electric 等;中國企業中,清洗設備廠商盛美上海、熱處理設備廠商屹唐股份等在韓國均有業務佈局,在產業鏈中亦持續扮演重要角色。
邏輯很簡單:韓國兩大存儲巨頭四座新晶圓廠意味着大量光刻機、薄膜沉積設備和檢測系統的採購需求,而這些設備的主要供應商正是 ASML、Applied Materials 和 KLA。


此次漲勢延續了半導體板塊今年的強勁走勢。費城半導體指數今年上半年近乎翻倍,第二季度漲幅超過 86%,創下有記錄以來最強季度表現。不過板塊波動依然劇烈——上週該指數單週下跌 7.9%,為 4 月初以來最差周表現,隨後隨着投資者重返人工智能基礎設施相關標的而反彈。
Susquehanna 分析師 Mehdi Hosseini 繼續看好半導體,理由是行業需求持續走強。另有機構預測,到 2028 年全球晶圓製造設備年度支出規模將達 2500 億美元。
韓國 1.3 萬億美元戰略:產業地理空間全面重構
此次戰略的核心邏輯,是打破韓國首都圈工業壟斷,將國家資源向首都圈以外地區傾斜。
此前韓國半導體產業鏈高度集中於首爾、龍仁首都圈,龍仁集羣承載多數先進系統芯片與存儲的研發及前道產能,但 AI 驅動下的能耗與土地瓶頸使老基地擴建承壓。本輪戰略在保障龍仁大幅提速的同時,向外重構產業空間:首爾聚焦高階研發,忠清承接先進封裝(HBM)與數據中心,光州承接代工與存儲前道製造,嶺南承載物理 AI 生態,形成"四區聯動"新格局。
半導體方面,三星電子與 SK 海力士在現有龍仁產業集羣(合計 10 座先進工藝晶圓廠)的基礎上,在光州再分別投資建設至少 2 座前道晶圓廠。韓國產業通商部長官宣佈,政府將加快審批手續,幫助兩家將目前建設中的龍仁集羣達產時點分別整體提前約 7 年、12 年至 2035 年左右。
韓國西南存儲芯片新集羣
此次投資計劃的核心是在韓國西南部打造全新存儲芯片集羣,投資約 800 萬億韓元(約 5180 億美元),目標五年內 DRAM 產能翻倍。三星與 SK 海力士各承建兩座工廠,政府負責提供土地、電力和水利等基礎設施配套。
與此同時,三星還於 6 月 29 日單獨宣佈了一項更長週期的國內投資計劃:2026 至 2040 年,在韓國國內累計投入 2450 萬億韓元,其中約 2100 萬億韓元用於半導體,佔比 76%。
高盛分析師 Giuni Lee 團隊對此進行了拆解:
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1650 萬億韓元用於現有晶圓廠及在建項目,包括將龍仁 6 號廠完工時間從 2047 年提前至 2040 年;
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400 萬億韓元用於光州兩座新晶圓廠,即西南集羣的核心部分;
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56 萬億韓元用於在忠清道新建 HBM 晶圓廠。
高盛認為,若假設三星國內資本支出與研發合計約佔合併口徑總額的 80%,並以約 6% 的年均增速推算,2026 至 2040 年累計國內支出約為 2500 萬億韓元,與官方公告數字基本吻合。高盛由此判斷,"這一隱含的支出增速並不激進。"
產能翻倍,但實際增速遠比數字温和
韓國存儲廠商重申了到 2030 年 DRAM 晶圓產能近乎翻倍的目標,但美銀證券分析師 Simon Woo 團隊在 6 月 29 日至 30 日發佈的研報中潑了一盆冷水。
翻倍聽起來激進,但對應的年均複合增長率僅約 15%。更關鍵的是,若將舊廠關閉和新一代存儲芯片更長製造週期兩個因素納入考量,實際運行晶圓產能的年增速將低於 10%,淨晶圓增長率到 2030 年僅為個位數百分比複合增長率。
美銀證券還指出,西南新集羣遠離首爾都市圈,基礎設施投入量級更大,建設難度顯著高於現有的平澤、龍仁等基地。該機構將其類比為台積電在台南的分散佈局策略,認為這種遠離核心區域的產能擴張需要更漫長的前置準備期。
綜合基礎設施建設(至少 5 年)與晶圓廠外殼建設及產能爬坡(額外 3 至 4 年),美銀證券判斷,新集羣實現有意義的量產輸出,最快也要在 8 至 10 年之後。
華泰研究亦持類似判斷:1.3 萬億美元總投資中包含 AI 數據中心、顯示、電池與機器人等非半導體板塊,半導體內部亦含土地、廠房、電網與工業用水等基建投入,實際落到光刻機等前道半導體設備(WFE)的比例料顯著低於傳統半導體資本開支中設備約 70% 的慣例。疊加十年投資週期與電力、用水、人才等落地約束的天然調節,供需有望走向健康可控。
中國設備企業:韓國佈局受益,結構性機遇浮現
華泰研究在投資建議中專門點名中國半導體設備企業。清洗設備廠商盛美上海、熱處理設備廠商屹唐股份等在韓國均有業務佈局,有望在本輪韓國存儲產能擴張中持續受益。
華泰研究認為,AI 高景氣下先進製程、HBM 與先進封裝產能擴張將帶來持續的設備增量需求,設備廠商在本輪跨越十年的長線投資下或迎來長期結構性利好。這批"四區聯動"的"政治產能"疊加龍仁提速,或將系統性擴充韓國本土先進製程、存儲與封裝產能,並影響 2028 年後全球相關產能的釋放節奏,相關設備需求或出現前置。
下一關鍵節點:7 月財報季
對於半導體設備板塊而言,下一個關鍵節點是 7 月財報季。
ASML 定於 7 月 15 日公佈業績,台積電緊隨其後於 7 月 16 日發佈財報。
投資者屆時將重點關注兩家公司對新建工廠資本支出的最新指引,這將直接影響設備需求預期。
