zHBM! Samsung Unveils New 3D Memory Roadmap, Striving for Leadership in AI Technology

華爾街見聞
2026.08.04 19:50

三星電子公佈全新 3D 內存路線圖，推出 zHBM、zNAND-O 及 V10 BV-NAND 等新技術。其中 zHBM 將高帶寬內存垂直堆疊於 AI 加速器之上，性能約為下一代 HBM5 的八倍。此舉旨在提升能效，超越 SK 海力士和美光科技，助力三星成為 AI 時代端到端基礎設施提供商。

三星電子正大力宣傳其最先進內存硬件在性能和能效方面的提升，以期在競爭中超越 SK 海力士和美光科技。三星在一份聲明中表示，這一名為 zHBM 的新系統將高帶寬內存垂直堆疊在 AI 加速器之上，其性能約為下一代 HBM5 的八倍。作為成為 AI 時代端到端基礎設施提供商努力的一部分，三星還推出了其他新技術，包括 zNAND-O 和 V10 BV-NAND 架構。

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