拔得頭籌！三星宣佈 3 納米芯片正式開始量產

韓國三星電子週四宣佈，公司已經開始大規模生產 3 納米芯片，是全球首家量產 3 納米芯片的公司。

三星在官方聲明中表示，公司已經開始在其位於韓國的華城工廠大規模生產 3 納米半導體芯片。與前幾代使用 FinFET 的芯片不同，3 納米芯片採用了新的 GAA（Gate All Around）晶體管架構，該架構大大改善了功率效率。與傳統的 5 納米芯片相比，第一代 3 納米芯片工藝可以降低 45% 的功耗，提高 23% 的性能，並減少 16% 的面積。而第二代 3 納米芯片工藝則可以降低 50% 的功耗，提高 30% 的性能，面積減少 35%。

雖然三星沒有透露其最新代工技術的客户身份，但市場預計，三星本身和中國芯片設計公司上海磐矽半導體將是 3 納米芯片的首批客户。

三星 3 納米芯片量產使得其生產進度略快於同行。在同業競爭方面，台積電和英特爾分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產 3 納米芯片。

雖然三星是全球第一個生產 3 納米芯片的公司，但台積電正計劃在 2025 年實現 2 納米芯片的全球首個批量生產。

在本月初的股東會上，台積電董事長劉德音才強調，台積電的先進製程的進展都按照計劃發展中，預計 2022 下半年將量產 3 納米芯片。與三星不同的是，台積電將仍採較為成熟的 FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工藝。一直到 2025 年量產 2 納米時，才會採用 GAA 技術。

在市場份額方面，台積電依然牢牢保持的全球市場第一的寶座。根據 TrendForce 的數據，目前台積電控制着全球 54% 的芯片合同生產市場，三星以 16.3% 的市場份額排名第二。