韩国 SK 海力士已开发出其 238 层 NAND 闪存芯片，将于 2023 年上半年大规模生产。
智通财经 APP 获悉，世界第二大存储芯片制造商韩国 SK 海力士周三表示，已开发出其最先进的 NAND 闪存芯片，该芯片由 238 层存储单元组成，将用于个人电脑存储设备，以及智能手机和服务器。SK 海力士称新的 238 层芯片是最小的 NAND 闪存芯片，数据传输速度相比上代产品提升 50%，读取数据消耗的能量降低 21%。此外，该公司准备于 2023 年上半年开始大规模生产新芯片。
据了解，英特尔 (INTC.US) NAND 业务被 SK 海力士收购后更名为 Solidigm，它与 SK 海力士合计占有全球 NAND 闪存市场的 18%，仅次于三星的 35.3% 和 Kioxia 的 18.9%。值得一提的是，此前美国竞争对手美光科技 (MU.US) 在上周宣布，已开始出货一款 232 层的 NAND 闪存芯片。