这是个逆势破袭老手。
在业界频传 NAND 闪存价格迅猛下滑之际，作为市占率近 34% 的全球最大闪存供应商三星电子，却仍在逆势增加投资，并官宣其闪存产品将涨价 10%。目前，这一涨价幅度，已为中国部分厂商接受。
1 月 12 日，华尔街见闻获悉，三星电子在西安的一个三期 NAND 闪存项目，进入了苹果智能手机 NAND 闪存供应链。此前，三星电子已是苹果公司最大的 DRAM 芯片供应商。
但是，提价 10% 很可能并非三星电子的主要诉求。从各种迹象看，三星将于年内开启其闪存大幅降价的大幕。从逆势增资扩产，到大幅降价，个中原因，不问可知。
逆势增资：三星心路人知
受低迷的存储芯片市场影响，三星电子利润受到打击，但三星电子半导体投资扩产却没有停滞。
全球存储器市场结构怎样？
据英国市场追踪机构 Omdia 统计数据显示，截至 2021 年，三星在 DRAM 市场份额为 42.7%，其次是 SK 海力士的 28.6% 和美光的 22.8%；NAND 闪存方面，截至 2022 年 Q2，三星电子拥有 33.9% 的市场份额，位列全球第一；通过收购 Intel NAND Flash 闪存业务，SK 海力士组建了新公司 Solidigm，市场份额升至 19.9％，紧随三星电子之后排名第二。
值得一提的是，三星电子在 NADA 闪存市场获得全球第一的市场地位，源自在 2006-2009 年一系列 NADA 闪存诡谲风云中三星的逆势增资扩张。
这是一次极为成功的逆势 “加仓” 之后的惊人逆袭。三星电子在行业低迷期扩大投资规模，最终击败当时市场份额领先于三星电子的对手，比如德国奇梦达、日本 “国家队” 尔必达和东芝。
这次成功经验，充分解释了三星电子再次遇到行业低迷期，为何仍敢于逆势增资扩产的信心迷局。
2022 年，半导体行业进入下行周期，存储市场占据半导体约 30% 的比例，故受到较大行业下行影响：包括三星电子、美光和 SK 海力士在内的多家存储厂商均出现亏损。
因此，行业风格保守，一众巨头也开始收缩业务。比如美光计划将 2023 财年投资额，从 2022 财年的 120 亿美元，下调至 70 亿-75 亿美元；同时，还将大幅减少 2024 财年的资本支出；SK 海力士也在 2022 年 10 月宣布，2023 年的设备投资预算幅度，将比 2022 年减少超过 50%。
但是三星例外，其投资风格极为激进，这与美光和 SK 海力士因市场低迷而收缩业务规模的做法，显得格外与众不同。
公开消息显示，三星电子已决定，在 2023 年提升其存储器和晶圆厂 10% 的产能。这些产能也有部分来自中国的三星新投资项目。
1 月 12 日，华尔街见闻从供应链了解到，三星西安三期项目 12 寸（300mm）晶圆厂将于 2 月中旬开工。这个项目原本定于 2022 年 12 月启动，但受内外多种因素影响，故而有所延期。
三星电子西安三期项目总投资高达 3000 亿元人民币。目前，这个工厂的定位是三星电子 NAND 闪存半导体的生产基地，与前两期项目的产能合并后，将占据三星电子 NAND 全球总产能的 40%。前两期项目已达产，每月生产 12 英寸晶圆量达 25 万张，年营收高达 1000 亿元人民币。
与台积电或英特尔均已做出的减产计划相比，三星电子同样属于逆势 “加仓”。此举说明三星电子野心极大，既想称霸存储器市场，也想在晶圆代工领域反超台积电。
除了中国项目，三星电子将对在韩国京畿道平泽市第一工厂（P1）的 NAND 闪存设备做升级。
P1 的 NAND 线预计将改造为 V8（238 层）NAND 量产线，可加工约 3 万张晶圆。此前，有消息称，三星电子可能会在 2023 年下半年，投资已完成外装工程的平泽 4 号厂房（P4）一期工程新的 NAND 生产线。
据中国台湾市场研究公司 Trend Force 的统计数据，截至 2022 年底，三星电子 NAND 晶圆月产量约为 64.5 万张。就半导体投资而言，三星电子决定在所有领域都保持 2021 年的水平。
另据英国市场研究公司 Omdia 的数据显示，NAND 市场价值约为 665 亿美元。鉴于此等规模的市场前景，三星或许想通过增加 NAND 产能，以挤压或吞并规模较小的行业企业。目前，在 NAND 领域，仍有 6-7 家企业在争夺全球范围内的市场份额。
手段：提价、扩产、降价
1 月 6 日，这家韩国市值最高的公司对外表示，2022 年 10 月-12 月季度营业利润可能同比下降 69%，低于市场预期的 38% 降幅，创下 2008 年同季度以来的最大降幅纪录。
与 2022 年三季度相比，用于智能手机和其他设备的 NAND 闪存基准在 2022 年四季度期间，跌幅达到 14%。
可以说，三星电子面临行业低迷和公司业绩下滑的双重压力，却仍在逆势增资扩产。这家公司表示，将继续从中长期的角度为市场复苏做准备。
由上文可知，三星对逆势投资有过成功经验。多年来，三星常常在行业不景气时期做巨额投资，以在下一个繁荣时期击败竞争对手，从而引领全球内存市场。
俗话说，手中有粮，心中才能不慌。
三星敢于逆势大举增资，底气来自其拥有的规模庞大的现金储备。截至 2022 年 9 月底，三星持有约 128.8 万亿韩元（约合 1010 亿美元）现金，约是其竞争对手 SK 海力士或美光的 10 倍。
韩国政府也很给力。韩国在 2023 年 1 月 3 日宣布，计划将半导体和电池等战略技术资本支出的税收减免，从 8% 扩大到 15%，接近翻倍。
除了想靠技术实力、产能规模压制对手，复制 2006-2009 年的那次成功逆袭，还有个重要原因，即三星电子已成功进入苹果 NAND 闪存供应链。此事得益于中国本土一家 NAND 闪存巨头遇到的众所周知的技术限制。
这家中国公司在遭遇技术约束后，三星电子成为了苹果公司在中国的 NAND 存储芯片替代供应商。华尔街见闻获悉，三星电子位于西安的 NAND 闪存工厂将为苹果供应 NAND 闪存。目前，这个工厂的三期工程将于 2 月动工。
值得一提的是，不久前，三星电子官宣其闪存产品将提价 10%，而部分中国公司已接受这一报价。
但是，据公开报道显示，三星电子可能会于 2023 年开启包括 NAND 闪存在内的大幅降价，以进一步提高在全球存储芯片市场的份额。
对 NAND 技术、产能和价格三者之间关系的理解，也能从另一个角度解释三星电子为何逆势增资的意图。
在 NAND 领域，NAND 制造商做的激烈技术角逐，集中在增加垂直层数方面。SK 海力士和美光都已推出 200 多层的 NAND 技术，但三星认为，“重要的不是层数，而是产能以及专注于提供具有价格竞争力的更优解决方案”。
说是这么说，但三星并没有放松 NAND 的技术迭代，其技术水平也极为高超。
目前，三星电子生产的第八代 V-NAND 高达 230 层；第 9 代 V-NAND 也已在研发过程中，预计 2024 年量产。2030 年，三星将推出高达 1000 层的 V-NAND 产品。
鉴于 DRAM 的对于消费电子级的重要性，三星也在重兵布局这个方向。
为推进 10nm 范围以外的微缩，三星电子正在开发图案、材料和架构方面做持续突破。
2022 年底，三星官方透露，其即将推出的 DRAM 解决方案包括 32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps LPDDR5X DRAM 和 36Gbps GDDR7 DRAM。三星还谈到了 HBM-PIM、AXDIMM 和 CXL 等定制 DRAM 解决方案。此外，三星计划到 2030 年实现亚纳米 DRAM。